flash存储密度
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全快闪储存导入新型Flash存储器以降低成本、生态大洗牌
许多厂商开始将重心转移到降低全快闪储存阵列的成本,如Dell与EMC都已在全快闪产品中导入低成本的TLC Flash记忆体;众多厂商争相发展全快闪储存阵列,也改变了既有的全快闪储存市场消长。 在全快闪储存阵列这类型产品诞生初期,唯一的卖点便是高效能,应用面向
boxti
7年前
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思考,基于高密度闪存的存储系统未来到底是一个什么样子?
近几年分布式存储架构受到主流关注,因为其解决了磁盘的存储容量、存储性能、存储扩展等问题。但是闪存介质通过其几何式发展,让基于分布式存储的优势逐渐减弱。试想一下,一个1U的全闪存阵列轻轻松松达到就实现千万IOPS,实现PB级容量,想选择分布式存储、还是全闪存阵列
知与谁同
7年前
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中国半导体存储行业未来50年发展路线图
存储器产业芯片国产化之路迈出的重要一步: 芯片国产化是中国政府在信息安全自主可控政策领域的实践领域之一,作为信息技术的基础产业,半导体集成电路持续叐到国家政策的扶持,近期仍国家层面到地方层面的政策及资本的持续也是持续丌断。存储器是集成电路产业的基础产品之一,
晚来风急
7年前
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发展存储芯片产业 中国是认真的
半导体行业人士都知道,中国存储芯片产业还有很大的发展空间,目前,很大一部分还依赖进口。三星、美光、东芝、海力士等企业垄断的存储器市场高达800亿美元,而中国每年进口的存储芯片就达600亿美元。为了提升中国存储芯片竞争力,中国半导体企业加大了存储芯片投资力度、中
寒凝雪
7年前
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【驱动】Flash设备驱动基础·NOR·NAND
Flash存储器 ——》Flash存储器是近几年来发展最快的存储设备,通常也称作闪存。Flash属于EEPROM(电可擦除可编程只读存储器),是一类存取速度很高的存储器。 ——》它既有ROM断电可保存数据的特点,又有易于擦写的特点。Flash可以在断电的情况下
科技小能手
7年前
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高端存储器研发再获突破 集成电路国产化进程加快
近日,长江存储和中科院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展,32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求,成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证,向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。 存储器作为我国集
boxti
7年前
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存储黑科技——高密度光存储容量比DVD高百万倍
由于衍射极限的限制,使得光储存途径一直无法实现较高的数据储存密度。如今,科学家发现一种光电现象的可能性,该存储技术容量比DVD更高百万倍。 来自伦敦帝国理工学院(London’s Imperial College)的研究人员、俄罗斯科学家以及喀山联邦大学(K
boxti
7年前
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赶紧扔掉你手里的Flash和RAM,IBM带你飞!
Flash对于你手上的电子设备主存储器来说太慢了,RAM虽然快,可是不但昂贵,而且一旦掉电就会丢失数据。现在,由于IBM在相变存储器上的突破,这一切都将被改变,也许在未来的某一天Flash和RAM都将被相变存储器所取代。以石英晶体为介质的存储技术已经在光盘和
沉默术士
7年前
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