半导体行业人士都知道，中国存储芯片产业还有很大的发展空间，目前，很大一部分还依赖进口。三星、美光、东芝、海力士等企业垄断的存储器市场高达800亿美元，而中国每年进口的存储芯片就达600亿美元。为了提升中国存储芯片竞争力，中国半导体企业加大了存储芯片投资力度、中国资本极力进行海外扩张……
汇总中国存储器产业事件
最新：兆易创新整并ISSI
11月19日，兆易创新再发持续停牌公告，并正式揭露即将与 ISSI 整并的消息。今年 9 月中开始兆易创新即以重大资产重组为由停牌多时，此次，兆易创新也正式揭露了原因，且攸关中国存储产业的大布局。
武岳峰资本7.3亿美元收购ISSI
2015年6月，美国Integrated Silicon Solution公司（ISSI）宣布，该公司股东就“中国投资公司武岳峰资本（Uphill Investment）收购ISSI”达成协议。武岳峰将以23美元/股的价格现金收购ISSI的股份。
武汉新芯存储基地项目启动
2016年3月28日，总投资240亿美元（约1600亿元）的存储器基地项目今日在武汉东湖高新区正式启动。该项目位于光谷智能制造产业园，建设内容包括芯片制造、产业链配套等，将在5年内投资240亿美元，预计到2020年形成月产能30万片生产规模，2030年建成每月100万片产能。
晋华存储器集成电路项目开工
2016年7月16日，福建晋华存储器集成电路生产线项目在泉州晋江开工。该项目一期投资370亿元，是泉州乃至福建发展集成电路产业的重大战略布局，将打造成国内首家具有自主技术及世界级先进制造工艺的存储器研发制造企业。
兆易创新买下忆正武汉SSD厂
2016年9月，业界领先的存储器和控制器供应商兆易创新 （Gigadevice）上市刚满一月便闪电停牌筹划重组。业内传出消息，兆易创新日前买下固态硬盘（SSD）供应商忆正科技位于武汉的厂房，开启并购之路。
武汉新芯与紫光成立长江存储
2016年7月26日，长江存储科技有限责任公司正式成立，武汉新芯将成为长江存储的全资子公司，而紫光集团则是参与长江存储的二期出资。半导体行业人士认为，长江存储的成立将为后续中国布局自主性存储器产业带来进展，利于整合国家资源，提高项目成功率。
关于ISSI
ISSI（芯成半导体有限公司） 主要设计与销售SRAM、中低密度 DRAM、EEPROM 等集成电路产品，主要应用于汽车、工业、医疗、网络、移动通讯、电子消费产品。客户都是一些电子工业巨头，如3Com、Alcatel、Cisco、Ericsson、Hewlett Packard、IBM、Lexmark、Motorola、Nokia、Seagate等公司。ISSI为少数中资收购海外半导体企业成功的案例，而在收购 ISSI 之前，中国也仅有从奇梦达（Qimonda）所分拆出来的西安华芯半导体一家 DRAM 厂。
ISSI是国际化大公司，总部设在美国，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员590人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
芯成半导体（上海）有限公司ISSI的独资子公司，成立于2000年9月，2001年7月迁入张江，总投资1583万美元。
看点：中国存储芯片产业发展事件梳理
兆易创新整并刚变中资的 ISSI
11月19日，兆易创新再发持续停牌公告，并正式揭露即将与 ISSI 整并的消息。今年 9 月中开始兆易创新即以重大资产重组为由停牌多时，此次，兆易创新也正式揭露了原因，且攸关中国存储产业的大布局。
先前即有过报导，中国 NOR Flash 厂商兆易创新（Gigadevice）可能与武岳峰等中国基金所收购的美国 DRAM 厂 ISSI 合并。
兆易创新公告中指出，公司拟收购北京闪胜投资公司，北京闪胜主要拥有先前以中国私募基金武岳峰为首所收购的美 DRAM 厂商 ISSI（IntegratedSilicon Solution）股份，兆易创新若与 ISSI 合并，加上现有的 NOR Flash 技术，将成为 Flash 与 DRAM 兼备的综合型内存厂商。
ISSI 主要设计与销售 SRAM、中低密度 DRAM、EEPROM等集成电路产品，主要应用于汽车、工业、医疗、网络、移动通讯、电子消费产品。ISSI 为少数中资收购海外半导体企业成功的案例，而在收购 ISSI 之前，中国也仅有从奇梦达（Qimonda）所分拆出来的西安华芯半导体一家 DRAM 厂。
除了合并 ISSI，兆易创新台面下也正积极筹划建厂，兆易创新传出将与中芯前CEO王宁国所主导的合肥长鑫团队共同在合肥建立存储厂，日前，兆易创新招募信息与合肥长鑫环评文件曝光，间接证实了此消息，从种种文件来看，新厂可能落户合肥空港经济示范区，估计 2017 年 7 月动工，从事 12 寸半导体存储芯片生产，总投资额高达 494 亿人民币，产能初估一年在 150 万片（月产能 12.5 万片）。
世界级存储器基地在武汉启动
2016年3月28日，总投资240亿美元（约1600亿元）的存储器基地项目今日在武汉东湖高新区正式启动。该项目位于光谷智能制造产业园，建设内容包括芯片制造、产业链配套等，将在5年内投资240亿美元，预计到2020年形成月产能30万片生产规模，2030年建成每月100万片产能。
为保证该项目顺利实施，国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、国开发展基金有限公司、湖北省科技投资集团有限公司共同出资作为股东，在武汉新芯集成电路制造有限公司的基础上组建一家存储器公司作为存储器基地项目实施主体公司。
此前，湖北省、武汉市、东湖高新区还共同设立了500亿元湖北集成电路产业专属投资基金，用于建设存储器生产研发以及产业链上下游项目。
据悉，官方期望这一存储器基地项目能集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产于测试、销售于一体，但初步将先行建造 Flash 厂，同样生产 NOR 型Flash，并逐步移转至 NAND Flash 产品，甚至3D NAND Flash，2015 年 5 月，武汉新芯才与 NOR 存储器厂商飞索半导体（Spansion）签订合作协议与交叉授权发展 3D NAND Flash 技术，调研机构曾预估，武汉新芯将在 2017 年底或 2018 年初推出 3D-NAND Flash 的产品来切入闪存储存产业，透过尽早导入新技术的方式，缩短与现今国际 NAND Flash 大厂的差距。
官方称，武汉新芯存储器基地项目建成后，可带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展，集合已经在光谷地区形成规模的显示产业（天马、华星光电）、智能手机产业（华为、联想、富士康），打造万亿级的芯片─显示─智能手机全产业链生态体系。
武汉新芯与紫光成立长江存储
2016年7月26日，长江存储科技有限责任公司正式成立，武汉新芯将成为长江存储的全资子公司，而紫光集团则是参与长江存储的二期出资。半导体行业人士认为，长江存储的成立将为后续中国布局自主性存储器产业带来进展，利于整合国家资源，提高项目成功率。
据武汉新芯介绍，长江存储的注册资本分两期出资。一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业（有限合伙）和武汉新芯股东湖北省科技投资集团有限公司共同出资，在武汉新芯集成电路制造有限公司（即“武汉新芯”）的基础上建立长江存储。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。
紫光集团董事长赵伟国出任长江存储董事长，副董事长分别由国家集成电路产业投资基金股份有限公司总经理丁文武和湖北省长江经济带产业基金公司副总经理杨道虹出任，武汉新芯董事长王继增为长江存储监事长，武汉新芯CEO杨士宁任总经理。至此，国家存储器基地项目的实施主体公司正式搭建完成。
存储器是信息系统的基础核心芯片，亦是最大宗的集成电路产品，同时还是我国进口金额最大的集成电路产品。
据介绍，按照国家存储器基地项目规划，长江存储的主要产品为3D NAND，将以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，预计到2020年形成月产能30万片的生产规模，到2030年建成每月100万片的产能。
兆易创新买下忆正武汉SSD厂
2016年9月，业界领先的存储器和控制器供应商兆易创新 （Gigadevice）上市刚满一月便闪电停牌筹划重组。业内传出消息，兆易创新日前买下固态硬盘（SSD）供应商忆正科技位于武汉的厂房，开启并购之路。
当前世界中，有三家供应商凭借SPI NOR Flash在消费应用领域中取得了成功，兆易位列其一，另外两家是台湾的旺宏和华邦，这三家公司合计占有SPI NOR Flash出货量80%以上。由于兆易的迅速崛起，给台系厂商造成了不小的压力。
兆易创新是SPI NOR FLASH领域全球最大的fabless供应商，成立于2005年4月，总部设于中国北京，在中国大陆、台湾、韩国、美国、日本、英国等多个国家和地区设有分支机构。
由于兆易创新是纯NOR Flash芯片设计公司，长期委由中芯国际代工，近年来兆易创新也在扩大多元化的晶圆代工来源，开始与华力微电子、武汉新芯接洽，展开NOR Flash芯片代工的业务。
忆正科技位于武汉的工厂前身是SSD研发中心与组装厂。忆正科技原本是工业和军用SSD供应商，一直是eMMC控制芯片供应商，但看好看好未来智能手机以及平板电脑内建的储存规格将从eMMC转到eMCP上，同时也看好印度、非洲等新兴智能手机市场。于2015年将eMCP模组视为重点产品，更积极巩固eMCP当中的DRAM芯片货源，与美光、东芝等存储器大厂在NAND Flash上都有技术合作，可获得稳定的存储芯片货源，同时美光也是股东之一。正是出于以上因素，忆正科技决定出脱位于武汉的工厂和团队。
武岳峰资本7.3亿美元收购 ISSI
2015年6月，美国Integrated Silicon Solution公司（ISSI）宣布，该公司股东就“中国投资公司武岳峰资本（Uphill Investment）收购ISSI”达成协议。武岳峰将以23美元/股的价格现金收购ISSI的股份。
武岳峰资本此次对芯成半导体的收购可谓一波三折。2015年3月12日宣布与芯成半导体达成约束性收购协议，收购价格为每股19.25美元，总价格约为6.395亿美元，并预计交易将在第三季度完成。但很快就引来了搅局者。5月13日，Cypress宣布以每股19.75美元非约束性要约收购芯成;16天后，武岳峰资本与芯成签订了补充协议，将收购价格上调为至每股20美元;Cypress立即宣布将收购价格提升至每股20.25美元。6月18日，Cypress又将收购价格提升至每股21.25美元，武岳峰资本旋即于6月19日将价格提至22美元;Cypress很快又加价至22.25美元，武岳峰资本23日跟进提价至23美元。
武岳峰资本之所以受到如此重视，形成与Cypress竞相加价的局面，与ISSI的主营业务有关。资料显示，ISSI以设计与销售SRAM、中低密度DRAM、EEPROM等集成电路产品为主，应用范畴多在汽车、工业、医疗、网路、行动通讯、电子消费产品，ISSI主要致力于95纳米与65纳米产品设计与研发。
拼产能：中国存储三大势力成形
中国发展存储成三路进击，除了由武汉新芯与紫光合体组成的长江存储、联电相助的福建晋华集成，第三势力在兆易创新与前中芯CEO王宁国主导的合肥长鑫合作下也蠢蠢欲动。
紫光集团先前欲并购美光、与 SK 海力士谈授权最后都无疾而终，最终与获得中国存储统筹资源的武汉新芯合并，进一步成立长江存储公司，由紫光董事长赵伟国兼任长江存储董事长，大基金总经理丁文武出任副董事长，并由原武汉新芯CEO杨士宁出任总经理负责 NAND Flash 擘划，转战紫光的前华亚科董事长则任长江存储营运长重起炉灶筹备 DRAM建厂。
武汉新芯存储基地已在 2016 年 3 月底动土，根据先前取得的消息，新的存储基地将分三期，总规划面积约 100 万平方米，一期于 8 月开工、预计 2018 年建设完成，月产能约 20 万片，而官方目标到 2020 年基地总产能达 30 万片/月、2030 年来到 100 万片/月。第一步已与 NOR 内存厂商飞索半导体（Spansion）签订技术授权，从 3D NAND Flash 下手，并预计 2017 有能力推出 32 层堆叠、2018 年推出 48 层堆叠 3D NAND Flash。在 DRAM 进展上与美光洽谈技术授权还未有眉目，也有消息指出，高启全正招兵买马透过人脉挖角中国台湾地区 DRAM 相关人才，或为建厂做准备。
在 DRAM 进展有较大突破的为福建后起势力，福建省政府在 5 月宣布，所投资的晋华集成与联电签订技术合作协定，由联电接受晋华委托开发 DRAM 相关制程技术，生产利基型 DRAM，团队由瑞晶、美光台湾前总经理、现任联电资深副总经理陈正坤领军，在 7 月 12 寸厂建厂奠基的同时，已在中国台湾地区的南科建立小型试产线，据了解初期将导入 32 纳米，但最终目标其实放在 25 纳米以下制程，以求与其他 DRAM 大厂不致有太大落差，初步产能规划每月 6 万片，估计 2017 年底完成技术开发，2018 年 9 月试产，并在 2019 年以前将产线移转至福建新厂。
而合肥欲起的 DRAM 势力在前尔必达社长坂本幸雄淡出合肥后，由中国本土 NOR Flash 厂商兆易创新（GigaDevice）与中芯国际前CEO王宁国所主导，目前兆易创新将与武岳峰等中国基金并购的美国 DRAM 厂 ISSI 合并，成为长江存储后，另一家 DRAM/NAND Flash 发展兼具的内存厂商。
除了三厂竞逐成为焦点，团队主导人也颇有渊源，主导合肥团队的王宁国与长江存储总经理杨士宁同样出身中芯国际，先前两派人马在中芯斗争多年甚至跃上新闻版面，如今再度碰头；而现任长江存储营运长的高启全与联电资深副总经理陈正坤，相继待过华亚科、美光体系，中国内存争战熟人相争就看谁能带领团队率先出线。
中国存储芯片发展现状
Memory 是 IC 领域最重要的一个领域。目前，这一领域由于其极高的技术壁垒和资本壁垒，在全球形成了极强的寡头垄断，三四家厂商垄断了全球 90%以上的市场。
近几年，Memory 产品受益于移动智能终端快速渗透，带来对产品需求的高速增长，过去三年复合增长率 18%，远高于半导体行业整体 7%的增长速度，成为整个半导体产业增长的主要推动力。
未来几年全球 Memory 市场仍有望保持快速增长。1）个人电脑与手机等移动终端的需求旺盛，拉动了 DRAM 产值的大幅增加。2）智能手机与固态硬盘（SSD）将成为 NAND Flash最大需求。3）3D NAND Flash 成为存储芯片的重要增长点。
存储芯片根据断电后所储存的数据是否会丢失，可以分为易失性存储器（Volatile Memory）和非易失性存储器（Non-Volatile Memory），其中 DRAM 与 NAND Flash 分别为这两类存储器的代表。尽管存储芯片种类众多，但从产值构成来看， DRAM 与 NAND Flash 已经成为存储芯片产业的主要构成部分。
▲ Memory 产品分类
根据 IHS 的统计，2015 年第三季度三星 DRAM 全球市场占有率达到 45.2%，SK海力士占有率为 27.3%，第三大厂商美光占有率为 20.4%，前三大龙头合计市占率达到了 93%。在Nand Flash 市场上，2014 年三星市占率为 36.5%，东芝为 31.8%，海力士为 18.9%，美光为 12.8%，前四家厂商几乎垄断整个市场。
▲ DRAM 前三家市占率超 90%
▲ Nand Flash 几乎被四家厂商垄断
总结：综合目前国内产业现状来看，发展存储器产业，有三条路摆在我们面前：自主研发、国际并购和两岸合作。然而有专家指出，两岸合作解决不了我国大陆存储器产业发展的根本性的技术问题，从自主研发来看，似乎可以采取研究院所与企业联合创新的模式。国际并购投入资本很大，在并购的同时，自主研发必须同步进行。
无论朝哪个方向走，发展存储器产业注定没有捷径，有行业人士发表观点，中国存储要做好长期大规模投入并亏损准备。
本文转自d1net（转载）
