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嵌入式存储STT-MRAM取代NOR Flash大势所趋

据国外媒体报导，GlobalFoundries、三星(Samsung)、台积电(TSMC)和联电(UMC)计划在2017年稍晚开始提供嵌入式存储器ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此举代表市场的巨大转变，因为到目前为止，只有Evers
朗锐智科1 7年前 2498

我国成功研制80纳米万能存储器核心器件

据悉，北京航空航天大学电子信息工程学院教授赵巍胜与中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超联合团队经过三年攻关，成功制备国内首个80纳米自旋转移矩-磁随机存储器器件，此项技术应用后，电脑死机也会保留所有数据，手机待机时间也有望大幅提高。 据北京日报5
知与谁同 7年前 1041

摆脱“缺芯之痛” 中国存储器行业正待起飞

存储器芯片作为各类智能终端产品不可缺少的元器件，一直掌握在三星、SK海力士、美光等巨头手里，是我国集成电路产业链的主要短板之一。近年来，在我国大力发展半导体产业的背景下，实现存储器芯片国产化已是大势所趋。 半导体存储器是一个高度垄断的市场，其三大主流产品DR
泡泡浅眠 7年前 1470

大陆三阵营要打破存储器仅占1%窘境

全球存储器商机上看80亿美元，然大陆产值竟然仅占1%，且是由非主流的利基型存储器(SDRAM)和NOR Flash贡献，一语道出大陆心急如焚硬闯DRAM和3D NAND的苦楚，更让三大阵营紫光集团旗下的长江存储、联电的福建晋华、北京GigaDevice明争暗
boxti 7年前 1084

IBM与三星研发MRAM 成果在数年内或将全面推出

11纳米自旋力矩存储器正蓄势待发 在IBM Research大会发布的创新成果当中，我们赫然发现传说中已经拥有二十年开发历史的非易失"通用型"磁性随机访问存储器（简称MRAM）正在进行升级。IBM方面日前（7月7日）表示，通过与代工巨头三星公司的合作，其正在
玄学酱 7年前 1310

IBM与三星研发MRAM 成果在数年内或将全面推出

11纳米自旋力矩存储器正蓄势待发 在IBM Research大会发布的创新成果当中，我们赫然发现传说中已经拥有二十年开发历史的非易失"通用型"磁性随机访问存储器（简称MRAM）正在进行升级。IBM方面日前（7月7日）表示，通过与代工巨头三星公司的合作，其正在利
玄学酱 7年前 1290

嵌入式MRAM解决方案正在兴起

全球两大半导体公司上周在第64届国际电子器件会议（IEDM）上展示了嵌入式MRAM在逻辑芯片制造工艺中的新技术。 英特尔在其22FFL工艺中描述了基于自旋转移力矩（STT）-MRAM的非易失性存储器的关键特性，称其为“首个基于FinFET的MRAM技术。”将
朗锐智科1 5年前 652

三星、台积电存储业巨头纷纷狙击下一代存储芯片？

最近台积电和三星的缠斗从制程之争演进到了存储器市场之争。在 5 月 24 日的三星铸造论坛上，三星电子发布该公司所研发的 MRAM 内存，并同时宣布欧洲大厂NXP作为它的第一个客户，双方签订晶圆代工协定，将量产 28 纳米的全耗尽型绝缘层上硅（FD-SOI）
知与谁同 7年前 1690

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