三星可读写存储器

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三星可读写存储器 相关的博客

三星、台积电存储业巨头纷纷狙击下一代存储芯片？

最近台积电和三星的缠斗从制程之争演进到了存储器市场之争。在 5 月 24 日的三星铸造论坛上，三星电子发布该公司所研发的 MRAM 内存，并同时宣布欧洲大厂NXP作为它的第一个客户，双方签订晶圆代工协定，将量产 28 纳米的全耗尽型绝缘层上硅（FD-SOI）
知与谁同 7年前 1690

中国半导体存储行业未来50年发展路线图

存储器产业芯片国产化之路迈出的重要一步： 芯片国产化是中国政府在信息安全自主可控政策领域的实践领域之一，作为信息技术的基础产业，半导体集成电路持续叐到国家政策的扶持，近期仍国家层面到地方层面的政策及资本的持续也是持续丌断。存储器是集成电路产业的基础产品之一，
晚来风急 7年前 1953

Gartner：高性能存储的未来

过去十二个月里，有关存储技术最新进展的宣传报道一直甚嚣尘上，其中包括新型非易失性存储器(如：三星的Z-NAND以及英特尔和镁光科技的3D Xpoint)。非易失性存储器标准(NVMe)等新型接口和更现代化的软件也正日益普及，力图减少因过去30年内CPU发展所
boxti 7年前 813

全球闪存产业向新一代非易失性存储技术演进

作为半导体产业的风向标，存储器2015年全球收入达793亿美元,占据近四分之一的半导体市场。其中，闪存收入308亿美元，占存储器产业39%的份额。闪存性能远高于传统磁盘，在移动设备、服务器等领域渗透率不断提高。过去十年，闪存年复合增长率达到10%，预计未来5
泡泡浅眠 7年前 1847

IBM与三星研发MRAM 成果在数年内或将全面推出

11纳米自旋力矩存储器正蓄势待发 在IBM Research大会发布的创新成果当中，我们赫然发现传说中已经拥有二十年开发历史的非易失"通用型"磁性随机访问存储器（简称MRAM）正在进行升级。IBM方面日前（7月7日）表示，通过与代工巨头三星公司的合作，其正在
玄学酱 7年前 1310

IBM与三星研发MRAM 成果在数年内或将全面推出

11纳米自旋力矩存储器正蓄势待发 在IBM Research大会发布的创新成果当中，我们赫然发现传说中已经拥有二十年开发历史的非易失"通用型"磁性随机访问存储器（简称MRAM）正在进行升级。IBM方面日前（7月7日）表示，通过与代工巨头三星公司的合作，其正在利
玄学酱 7年前 1290

超快激光助力开发具有前景的新型存储技术

今天的计算机经常使用的有多达四种不同的内存技术,从硬盘到内存芯片,每个都有自己的优点和缺点。然而,一项新的存储记忆技术可能会打破这一状态,实现具有独特的功能组合。这项技术的缩写是STT-MRAM,即自旋转移矩磁随机存取存储器的英文简称。 “所有其他的内存技术
boxti 7年前 953

【阿里云总监课】存储系统设计——NVMe SSD性能影响因素一探究竟

目录 1 存储介质的变革 2 NVME SSD成为主流2.1 NAND FLASH介质发展2.2 软件层面看SSD——多队列技术 2.3 深入理解SSD硬件3 影响NVME SSD的性能因素 3.1 GC对性能的影响3.2 IO PATTERN对性能的影响3
云攻略小攻 5年前 3557

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